半導体ウェーハ

シリコン酸化物ウェーハの製造は熱酸化プロセスで使います。大気圧ファーネスチューブ装置を高温（800℃〜1150℃）条件で使用し、シリコンウェーハ表面に酸素または水蒸気により二酸化シリコン膜（二酸化ケイ素層）を成長させます。 加工厚さは 50 nmから 2 μm、プロセス温度は1100 ℃まで、成長方法は使う酸化剤によってドライ酸化（乾式酸化）とウェット酸化（湿式酸化）に分けられています。

乾式酸化は、純酸素ガスを使用して二酸化シリコン膜を作ります。その成長は遅いが薄くて高密度の層に形成します。その一方で、湿式酸化は、酸素と高溶解度の水蒸気ともをを使用して二酸化シリコン膜を作ります。成長は早いが厚くて低密度の層に形成します。

熱酸化層は、「成長」という加工プロセスによって形成される酸化層の一種です。 化学気相成長（CVD: chemical vapor deposition）によって堆積された酸化物層と比較して、均一性がより高く、コンパクト性がより良く、絶縁性がより良く、品質がより優れています。

熱酸化物層は、絶縁体として優れた誘電体層で、多くのシリコンベースのデバイスでは、ドーピングバリア層及び表面誘電体として重要な役割を果たします。

ケイ素/二酸化ケイ素ウェーハの技術仕様

N型ケイ素ウェーハの技術仕様

サファイア基板の技術仕様