半導体ダイシングソー
通常、半導体デバイスの製造前工程は、ウェーハ製造工程と封止テスト工程の2 つに分けられます。 一般的なシーリング及びテストプロセスには、ウェーハ薄化、チップ配置、ウェーハカット、ウェーハマウント、ボンディング、パッケージング、後硬化、エッジ除去、電気メッキ、印刷、サークルカット（リブカット）及び成形、外観検査、製品テスト、及びその他の手順が含まれます。
ウェーハは通常、ウェーハ処理プロセスと製品に対する顧客の要求に応じて、数百または数万の小さなチップで構成されています。 業界のほとんどのウェーハでは、ダイス間に40um から 100umギャップ差があり、スクラッチ切断パスと呼ばれています。 ただし、ウェーハ上のチップの 99% には、独立したパフォーマンスモジュールがあります。 小さなチップを1つのダイスに分離するために、ダイソーイングまたはウエハー切断と呼ばれる切断プロセスによる切断と分離が必要です。現在、業界にはレーザー切断とブレード切断の2 種類のダイソー加工プロセスがあります。
ブレード切断の原理:
装置の主軸の高速動作によって駆動されるブレード上のダイヤモンド粒子は、切断ブロックから作業プレート上のウェーハを分解し、ブレードとフラッシング水の作用で、破片は時間内に除去され、シリコンパウダーが裏面に浸透して付着することによって引き起こされる品質異常を妨げます。
ダイソーは、半導体のパッケージング工程において非常に重要な工程です。 切断結果は、パッケージ全体の品質の悪し良しに直接影響します。 当社は長年以来ア、ずっと半導体ダイソー製造に従事しています。
適用分野:
主にシリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハ、酸化物ウェーハ等の加工に使います。
特徴：
1.高負荷時の安定した加工パフォーマンス。
2.精密な濃度とダイヤモンド粒子の調整により、加工品質と寿命を効果的に制御できます。
3.安定性が高く、切断の過程では、壊れ、折れ、破損及び他の不良加工現象を防ぐことができます。
ウェーハ切断の異常の分析:
| 一般的な異常 | 分析 | 改善策 |
| チッピング | 1. ブレードの選択が間違っている
2. 加工パラメータの設定が不合理 3. 機器の精度が悪い 4. 水温が高すぎる |
1. 異なる要望と材料の製品に対応するブレードを選択する
2.加工パラメータの最適化 3. 正しい機械精度 4. 水温をコントロールする |
| シリコンパウダー浸透 | 1.刃先が狭く、製品が厚く、フィルム接着層が強い
2. 切削水の流量が少ない 3. スピンドル速度低下 |
1. 適切なブレードとカッティング フィルムを選択する
2. 切削水の流れを調整する 3. 主軸回転数を高く、ゴミを出しやすくなる |
| コイルカット | ブレードの強度と速度が一致しない | 適切なブレードと適切なスピンドル速度を選択する |
| カットマークオフセット | 1. 機械自体の累積誤差
2.製品サイズ違い |
1. 機械軸の移動精度を校正する
2. 製品の寸法精度を正確に測定 |
電着ダイシングブレード（ハブタイプ）
さまざまなウェーハ材料に応じて、適切な切断ツールを選択すると、製品のエッジへの損傷を軽減または排除し、製品の合格率を向上させることができます。当社は、ダイシング ブレードの製造プロセスにおいて成熟し、安定しており、半導体ダイソーイングの分野で良好な安定性と長寿命を持ち、お客様方々に人気を浴びています。
